센터 장비소개 및 예약

White room

장비명 : E-Beam Evaporation

응용분야 : 전자 LED침, MEMS, 반도체 소자, 마이크로/나노 광학소자 금속박막, 투명박막, 센서재료 등의 박막 연구 등

SPEC
- Material : SUS 304L + AI 6061
- E-Beam Power Capacity : 6KW
- Chamber size : Customer Specification
- Turbo Molecular Pump : 450L/sec, 3.0 * 10-7 𝐭𝐨𝐫𝐫
- Rotary Pump Capacity : 600L/min, 5.0 * 10-3 𝐭𝐨𝐫𝐫
- Gauge Sensor : Pirani gauge, Magnetron Gauge
- Thickness Sensor Monitor
- Include the RPM sensor : 1~20RPM
- Substrate Temperature : ~ 700℃
- Others : PLC Interface Module
장비명 : Magnetron Sputtering

응용분야 : 반도체 박막, 광학렌즈, 전도체 막, 정류소자, 트렌지스터, 다이오드, 전극재료(Al,Ag,Pt), 액정, EL, 태양전지 CD, 자성재료,금속피막저항, 발광소자, 금속재료 코팅막 센서재료 등

SPEC
- Material : SUS 304L + AI 6061
- Power : Cathode Power Supply : DC/RF
- Substrate Size : Piece to 4~6” Wafer
- Turbo Molecular Pump : 450L/sec, 3.0 * 10-7 𝐭𝐨𝐫𝐫
- Processing Gas: Ar, O2, N2
- Sputter Gun : 3inch * 3set
- Type : Up / Down Sputter
- Auto Loading / Auto Unloading
- Substrate Temperature : ~ 700℃
- Others : PLC Interface Module
장비명 : Reactive Ion Etching System

응용분야 : 전자 LED침, MEMS, 반도체 소자, 마이크로/나노 광학소자 금속박막, 투명박막, 센서재료 등의 박막 연구 등

SPEC
- Material : SUS 304L
- Sample Size : Piece To Max 6” Wafer
- Chamber size : Customer Specification
- Turbo Molecular Pump : 450L/sec, 5.0 * 10-7 𝐭𝐨𝐫𝐫
- Processing Gas : Ar, N2, H2, CH4
- Supply Full Scale : 100sccm
- Gauge : Pirani gauge, Magnetron Gauge
- Substrate Cooling Chuck Type
- Others : PLC Interface Module
장비명 : Plasma Enhanced CVD System

응용분야 : 전자 LED침, MEMS, 반도체 소자, 마이크로/나노 광학소자 금속박막, 투명박막, 센서재료 등의 박막 연구 등

SPEC
- Material : AI 6061
- Substrate Holder Size : piece to 4” Wafer
- Turbo Molecular Pump : 450L/sec, 1.0 * 10-6 𝐭𝐨𝐫𝐫
- Rotary Pump Capacity : 800L/min, 5.0 * 10-3 𝐭𝐨𝐫𝐫
- Processing Gas : Ar, O2, SiH4, NH3 atc.
- Scrubber System - Wet : Water Circulation Using Pump
- Scrubber System - Burn : Heating Temp : ~900℃
- Substrate Heating Module
- - Max Heat Up Temp : 400℃
- Others : System Manual Control by PLC Touch panel
장비명 : Aligner (MDA-600S)

응용분야 : 최대 6인치 시료기반의 고해상도의 사진공정, 패턴형성 및 회로구현

SPEC
- Type : PC control
- UV Light Source : 350W
- Mask Size : ~ 7inch
- Substrate size : Piece to 6 inch circle
- Uniform Beam Size: 6.25*6.25 inch
- (Beam uniformity <±5%)(Beam wavelength, 350~450nm)
- Alignment Method : Manual
- Alignment Accuracy : 1um
- Process Mode : Soft, Hard, Vacuum contact & proximity
- Process resolution : 1um @ 1um PR thickness with vacuum contact
장비명 : Fume hood

장비 예약

E-Beam evaporator
- E-beam을 활용하여, 기판 위에 각종 금속박막을 형성하는 방식
- - Ultimate pressure : under 5x10-7torr.
- - Thickness uniformity : 4인치 웨이퍼 기준, ±3% 이하.
- - Wafer Size 최대 4인치 사용가능.
- - Ti, SiO2, Mo, Ni 금속 탑재, 타 금속의 경우 협의 후 사용가능.
- - Touch panel기반의 PLC 기능 및 자동/수동 시스템 탑재.
Sputter
- 챔버 내부에 플라즈마를 띄워 기판위에 타겟금속을 증착하는 방식.
- - Ultimate pressure : under 5x10-7torr.
- - Thickness uniformity : 4인치 웨이퍼 기준, ±5% 이하.
- - Wafer size 최대 4인치 사용가능.
- - Mo, IGZO, Al 금속탑재, 타 금속의 경우 협의 후 사용가능.
- - Touch panel기반의 PLC 기능 및 자동/수동 시스템 탑재.
RIE etcher
- 챔버 내부, 플라즈마를 통해 빠른 속도와 비등방성 식각을 하는 장비.
- - Ultimate pressure : under 1x10-6torr.
- - Thickness uniformity : 4인치 웨이퍼 기준, ±5% 이하.
- - Wafer Size 최대 4인치 사용가능.
- - 다양한 금속 또는 옥사이드 재료 에칭 가능.
- - Touch panel기반의 PLC 기능 탑재.
PECVD
- Plasma Enhanced CVD, 층간 절연막 형성 등 박막 형성에 사용되는 장비.
- - Ultimate pressure : under 1x10-6torr.
- - Thickness uniformity : 4인치 웨이퍼 기준, ±5% 이하.
- - Wafer Size 최대 4인치 사용가능.
- - 다양한 옥사이드 재료 합성 가능.
- - Touch panel기반의 PLC 기능 탑재.

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