특허등록 현황
글번호
164372
일 자
12.10.11 00:00:00
조회수
9756
글쓴이
권오중, 최인수, 임태호, 김광환
기술명 : 반도체 장치 및 금속박막 형성방법
본 발명은 반도체 장치 및 금속박막 형성방법에 관한 것으로서, 상기 금속박막 형성방법은 기판상에 금속 나노입자를 흡착시키는 단계 및 상기 금속 나노입자를 촉매로 한 전해도금을 통해 상기 기판 표면에 전해도금막을 형성하는 단계를 포함한다 본 발명에 따르면 고비저항 기판에 금속 나노입자를 흡착시킴으로써 씨앗층 형성없이 전해도금을 수행할 수 있으며, 미세패턴 제조가 가능하고, 취약한 단차도포성으로 인한 씨앗층 결함 문제를 해결할 수 있다.
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